開關電(dian)(dian)源作(zuo)為運(yun)用于開關狀(zhuang)況的能量轉(zhuan)化設備，開關電(dian)(dian)源的電(dian)(dian)壓(ya)、電(dian)(dian)流改變率(lv)很高，所以產生的干擾(rao)強度(du)也比(bi)較(jiao)大。

干(gan)(gan)擾(rao)源(yuan)主要會集(ji)在功率開關(guan)期間以及與(yu)之相連的(de)(de)散熱器(qi)和(he)(he)高平變壓器(qi)，相關(guan)于數(shu)字(zi)電路干(gan)(gan)擾(rao)源(yuan)的(de)(de)方(fang)位較為清(qing)楚(chu)。開關(guan)頻率不高（從幾十千赫(he)和(he)(he)數(shu)兆(zhao)赫(he)茲），主要的(de)(de)干(gan)(gan)擾(rao)形式(shi)是傳導干(gan)(gan)擾(rao)和(he)(he)近場(chang)干(gan)(gan)擾(rao)。而印刷線(xian)路板（PCB）走(zou)線(xian)通常選用手工布(bu)線(xian)，具有**的(de)(de)隨(sui)意性，這增(zeng)加了(le) PCB 散布(bu)參數(shu)的(de)(de)提取和(he)(he)近場(chang) 干(gan)(gan)擾(rao)估量的(de)(de)難度。

1MHZ 以(yi)內：以(yi)差模干擾為主，增大 X 電容就可處(chu)理(li)；

1MHZ—5MHZ：差模(mo)共模(mo)混(hun)合，選用輸入端并一系列(lie)X電(dian)容來濾除差摸干擾(rao)并分析出(chu)是哪(na)種干擾(rao)超支并處理;

5M：以(yi)上以(yi)共(gong)(gong)摸(mo)干擾(rao)為主(zhu)，選(xuan)用抑制共(gong)(gong)摸(mo)的(de)辦法。關于外殼接(jie)地的(de)，在(zai)地線(xian)上用一個磁盤繞2圈會對10MHZ以(yi)上干擾(rao)有(you)較大的(de)衰減（diudiu2006）;

關(guan)于25--30MHZ不過能(neng)夠選用(yong)加大對(dui)地(di)Y電容、在變壓(ya)器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸(shu)(shu)出線(xian)前面接一個雙線(xian)并繞的小磁環(huan)，最少繞10圈、在輸(shu)(shu)出整流管兩頭并 RC 濾波器。

30—50MHZ：遍及是 MOS 管高(gao)速注冊關斷引起，能夠(gou)用增大MOS驅動電(dian)阻(zu)，RCD緩沖電(dian)路選用 1N4007慢管，VCC供電(dian)電(dian)壓用 1N4007慢管來處理。

100—200MHZ：遍及是(shi)輸出整流管反向(xiang)恢復電(dian)流引起，能(neng)夠在整流管上串磁(ci)珠

100MHz—200MHz：之(zhi)間(jian)大部分(fen)出(chu)于(yu) PFCMOSFET及PFC二極(ji)管(guan)，現在MOSFET及PFC二極(ji)管(guan)串磁珠有作用，水平方(fang)向(xiang)基本(ben)能(neng)夠處(chu)理問題，但筆直方(fang)向(xiang)就沒(mei)辦法了。

開關(guan)電源的輻射一般(ban)只(zhi)會影響(xiang)到 100M 以下的頻段。也能夠在 MOS，二極管上加相應吸(xi)收(shou)回路，但(dan)效率會有所下降。

設計(ji)開關(guan)電源時防止 EMI 的措施

1.把噪音電(dian)路節點(dian)(dian)的(de) PCB 銅(tong)箔面(mian)積**極限地減(jian)小;如開關管的(de)漏極、集電(dian)極，初次級繞組的(de)節點(dian)(dian)，等。

2.使輸(shu)入(ru)和輸(shu)出端遠(yuan)離(li)噪音元(yuan)件(jian)，如變(bian)壓器(qi)線包(bao)，變(bian)壓器(qi)磁芯，開關管的散熱片，等等。

3.使(shi)噪音元件（如未遮(zhe)蓋的(de)(de)變壓(ya)器線包，未遮(zhe)蓋的(de)(de)變壓(ya)器磁芯，和開(kai)關管(guan)，等等）遠離外殼(ke)邊際，因為(wei)在正常操作下(xia)外殼(ke)邊際很可能靠近外面的(de)(de)接(jie)地(di)線。

4.如果變壓(ya)器沒有運用電場(chang)屏(ping)蔽(bi)，要(yao)堅持屏(ping)蔽(bi)體和散熱片遠離(li)變壓(ya)器。

5.盡(jin)量(liang)減小以下電(dian)流(liu)環(huan)的面積：次級(ji)（輸(shu)出）整(zheng)流(liu)器，初級(ji)開關功率器材，柵(zha)極（基極）驅動(dong)線路，輔佐整(zheng)流(liu)器。

6.不(bu)要將(jiang)門極(ji)（基極(ji)）的驅動返饋環路和初級開關(guan)電路或(huo)輔佐整流電路混在(zai)一同。

7.調整(zheng)優化阻尼(ni)電阻值，使它在開(kai)關的(de)死區時間里不產生振(zhen)鈴響聲。

8.防止 EMI 濾波電(dian)感飽滿。

9.使拐(guai)彎節點(dian)和(he)次級電路(lu)的(de)元件遠(yuan)離(li)初級電路(lu)的(de)屏蔽體或許開關管的(de)散熱片。

10.堅持初級電(dian)路的擺動的節點和元件(jian)本體遠離屏蔽或(huo)許散(san)熱片。

11.使高頻輸入的 EMI 濾波器靠近輸入電纜或(huo)許連接器端。

12.堅持高頻(pin)輸出的 EMI 濾波器靠近輸出電線端子。

13.使 EMI 濾波器對面的(de) PCB 板的(de)銅(tong)箔和(he)元件(jian)本(ben)體之(zhi)間堅持一定距離(li)。

14.在輔佐線(xian)(xian)圈的整流器的線(xian)(xian)路上放一些(xie)電阻(zu)。

15.在(zai)磁棒線圈上(shang)并聯阻尼電阻。

16.在輸出 RF 濾波(bo)器兩頭并聯阻尼電阻。

17.在(zai) PCB 設計時答應放 1nF/500V 陶瓷電容(rong)器或許還能(neng)夠是一串電阻，跨(kua)接在(zai)變(bian)壓器的初級的靜端和(he)輔佐(zuo)繞(rao)組之間。

18.堅(jian)持 EMI 濾波(bo)器(qi)遠離(li)功(gong)率變壓器(qi);尤其(qi)是防止(zhi)定位在繞包(bao)的端部。

19.在(zai) PCB 面積(ji)滿足的(de)情況下(xia)，可在(zai) PCB 上留下(xia)放屏蔽繞(rao)組用的(de)腳位和放 RC 阻(zu)(zu)尼器的(de)方位，RC 阻(zu)(zu)尼器可跨接在(zai)屏蔽繞(rao)組兩頭。

20.空間答應的(de)話在開關功(gong)率(lv)場(chang)效(xiao)應管的(de)漏極和門極之間放一(yi)個(ge)小徑向引線電容(rong)器（米勒電容(rong)，10 皮法/1 千伏(fu)電容(rong)）。

21.空間答(da)應的(de)話放一個小的(de) RC 阻尼器在直(zhi)流輸出(chu)端(duan)。

22.不要把 AC 插座與(yu)初級開(kai)關管的散熱片靠在一(yi)同。